NAND Flash, i piani di espansione dei big

Toshiba e Western Digital hanno raggiunto un accordo, dopo le cause legali e le controversie sulla joint venture nel corso dell’ultimo anno.

Le due società hanno esteso l’accordo di joint-venture esistente al 2029, confermando che Western Digital investirà congiuntamente nella struttura Fab 6 di Yokkaichi per garantire la propria competitività in 3D-NAND Flash a 96-layer o più.

Subito dopo l’accordo, Toshiba ha annunciato il piano di costruzione di Fab 7.

Oltre a Toshiba, anche altri produttori hanno pianificato espansioni: YMTC, per esempio, con un nuovo sito a Wuhan Donghu New Technology Development Zone, che entrerà in funzione nella seconda metà del 2018.

Con lo sviluppo iniziale del prodotto focalizzato sul 3D-NAND Flash a 32 layer, YMTC si dedicherà anche allo sviluppo di prodotti a 64 layer per restringere il divario con i suoi concorrenti.

Anche Intel mantiene il passo.

In risposta alla crescente domanda di SSD per server, è impegnata nella seconda fase dell’espansione del proprio stabilimento nella città cinese di Dalian e punta a raddoppiare la capacità di 3D-NAND Flash della struttura entro la fine del 2018.

Samsung, invece, espanderà la sua fabbrica di NAND Flash a Xi’an, aumentando la produzione di 3D-NAND Flash in Cina.

Mentre SK Hynix sta investendo in un nuovo stabilimento, M15, a Cheongju, che si rivolge anche alla produzione di 3D-NAND Flash a 96 layer o più.

Dovrebbe entrare in funzione nel 2019.

Secondo DRAMeXchange l’espansione della capacità produttiva dei principali produttori di NAND Flash, avrà un forte impatto sul settore poiché potrebbe portare a un possibile eccesso di offerta nel mercato dei 3D-NAND Flash dal 2019 in avanti.

 

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