Cree e STMicroelectronics, accordo sui wafer SiC da 250 milioni

Un accordo per dare un impulso all’espansione del SiC nell’automotive e nell’industriale.

Cree, per il suo spin-off Wolfspeed, dedicato alla tecnologia del carburo di silicio (SiC), ha firmato con STMicroelectronics un accordo di fornitura di wafer da 150 millimetri (6 pollici), sia semplici che in formato epitassiale, per un valore di 250 milioni di dollari.

Wafer SiC e accordo, parla Cree

“In Cree rimaniamo focalizzati sull’obbiettivo di dare supporto alla crescente adozione di soluzioni basate sulla tecnologia del carburo di silicio (SiC) e questo accordo ne è una conferma.” Ha dichiarato Gregg Lowe, CEO di Cree. “Questo è il terzo accordo multi-annuale che abbiamo firmato nell’anno appena concluso (un accordo equivalente ma per il valore di 100 milioni di dollari era stato firmato con Infineon – ndr) con l’obiettivo di supportare la transizione dal silicio al SiC. Come leader nella fornitura di wafer in SiC Cree continua ad espandere la propria capacità produttiva per rispondere alla crescente richiesta del mercato e in particolare nelle applicazioni automotive. Siamo estremamente soddisfatti di continuare a supportare STMicroelectronics poiché entrambi investiamo per dare un impulso a questo mercato”.

La parola a STMicroelectronics

Per parte sua, Jean-Marc Chery, presidente e CEO di STMicroelectronics, ha affermato:

STMicroelectronics è la sola società produttrice di componenti in SiC in volumi che siano qualificati per l’uso in ambiente automotive e vogliamo crescere ulteriormente il nostro business con i componenti in tecnologia SiC sia in termini di volumi che in numero di applicazioni servite con l’obiettivo di essere leader in un mercato che nel 2015 è stimato in tre miliardi di dollari.Questo accordo con Cree migliorerà la nostra flessibilità, sosterrà I nostri piani di sviluppo e contribuirà ad accrescere la pervasività della tecnologia in applicazioni automotive e industriali.

Va ricordato che Wolfspeed – una Cree Company – è leader nella produzione di wafer e wafer epitassiali in tecnologia SiC e è stata una delle prime società nel mondo dei semiconduttori a credere in questa tecnologia che supporta almeno dalla fine degli anni Novanta.

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